Չիպերը, որոնք նաև հայտնի են որպես միկրոսխեմաներ, կիսահաղորդչային սարքի ընդհանուր տերմինն է: Սա նշանակում է, որ սիլիկոնային չիպերը պարունակում են փոքր չափի ինտեգրալ սխեմաներ, և դրանք համակարգիչների կամ այլ էլեկտրոնային սարքերի մաս են կազմում: Վաֆերը վերաբերում է սիլիկոնային վաֆլիին, որն օգտագործվում է սիլիցիումային կիսահաղորդչային ինտեգրալ սխեմաների արտադրության մեջ: Շրջանաձև ձևի պատճառով այն կոչվում է վաֆլի: Սիլիկոնային վաֆլի մշակումը կատարվում է վաֆլի ձևավորման համար, այնուհետև փաթեթավորվում է չիպ ձևավորելու համար:
Վաֆլի չիպերի վերածելու գործընթացի քայլերը
Ներառյալ Apple A12-ը և Huawei Kirin 980-ը, անկախ նրանից, թե որքան բարդ է չիպերի արտադրությունը, դրա արտադրության մեթոդները կարող են ամփոփվել չորս հիմնական գործընթացների մեջ, որոնք են՝ 'նախշման գործընթաց', 'բարակ թաղանթով', 'դոպինգի գործընթաց' և 'ջերմային բուժման գործընթաց':
ա. Չիպերի արտադրության գործընթացի ձևավորման գործընթացը
Կաղապարավորման գործընթացը մշակման տեխնիկայի մի շարք է վաֆլի և մակերեսային շերտի վրա նախշեր ստեղծելու համար: Սարքի նախագծման մասին վերը նշված հայտարարության հետ զուգակցված՝ նախշավորման գործընթացը հիմնականում 'փորագրում է' (փորագրում) 'հիմքի' (վաֆլի) վրա և 'զբաղեցման' (չափը և գտնվելու վայրը) տարբեր 'շենքերի' (սարքերի) սահմանման գործընթացը: Քանի որ այս գործընթացը որոշում է սարքի բանալին՝ չափը (այսինքն՝ xx nano chip, որը մենք հաճախ ասում ենք), այն դարձել է չիպերի արտադրության ամենակարևոր գործընթացը: Կաղապարավորման գործընթացի հիմնական բառը 'փորագրություն նկարով' է: Դիմակները և ֆոտոլիտոգրաֆիան, որոնք մենք հաճախ ենք լսում, նույնպես պատկանում են գործընթացների այս հիմնական կատեգորիային:
բ. Չիպերի արտադրության գործընթացի բարակ թաղանթային գործընթացը
Այս արհեստի հիմնական բովանդակությունը շերտեր ավելացնելն է, և այս գործընթացը դժվար չէ հասկանալ: Չիպերի արտադրությունն ինքնին 'շենք' է, այնպես որ, երբ հողամասը ուրվագծվում է, շենք կառուցելը հաստատ ավելի ծախսարդյունավետ է, քան բունգալո կառուցելը, և 'շենքի' գործառույթը նույնպես ավելի ուժեղ է: Ճիշտ այնպես, ինչպես շենքը կարող է օգտագործել տարբեր հարկեր՝ հասնելու տարբեր ֆունկցիոնալ միջնորմների և ընդլայնելու տարածության օգտագործումը, բարակ թաղանթների տեխնոլոգիան կարող է շերտեր ավելացնել չիպի «շենքին» և ապահովել թաղանթներ յուրաքանչյուր շերտի հաղորդման, մեկուսացման և հետագա ձևավորման համար: Բարակ թաղանթի տեխնոլոգիայի հիմնական բառը «հավելված շերտերն» է: Գործընթացները, ինչպիսիք են նստեցումը, ցրումը, CVD/PCD-ն և էլեկտրապատումը, որոնք մենք հաճախ տեսնում ենք, բոլորը պատկանում են այս կատեգորիային:
գ. Չիպերի արտադրության գործընթացի դոպինգ գործընթացը
Շենքի համար, հողի գծանշման և տների կառուցման գործընթացում, անհրաժեշտ են տարբեր օժանդակ խողովակաշարեր, ջրի, էլեկտրաէներգիայի կառավարման սարքավորումների տեղադրում և տարբեր ֆունկցիոնալ սարքավորումներ՝ համապատասխան գործառույթներն իրականացնելու համար: Ինտեգրալ սխեմաներում մենք ապավինում ենք տարբեր սարքերի: Այս սարքերը չեն կարող իրագործվել միայն «երկաթբետոնով» (վաֆլիներ և թաղանթներ), սակայն դրանց մեջ պետք է ներկառուցվեն որոշ «կառավարման միավորներ»: Եվ սա դոպինգ գործընթացն է, որը ձևավորում է PN հանգույց՝ վաֆլի մակերեսին ստեղծելով էլեկտրոններով (N լիցքի կրիչներ) կամ էլեկտրոնային անցքերով (P լիցքի կրիչներ) հարուստ շրջան։ Շենքի ամբողջական գործառույթն իրականացնելու համար հսկիչ սարքավորումների (դոպինգ նյութերի) ավելացման գործընթացը (չիպ), հիմնական բառը 'վերահսկել' է։ Այս կատեգորիային են պատկանում այնպիսի գործընթացներ, ինչպիսիք են իոնային իմպլանտացիան, ջերմային դիֆուզիան և պինդ վիճակում դիֆուզիան:
դ. Չիպերի արտադրության գործընթացի ջերմային մշակման գործընթացը
Տան կառուցման գործընթացում զանազան նյութերի չորացման, սառեցման և չորացման գործընթացները միշտ անհրաժեշտ կլինեն դրանց ավելացումից հետո: Այս գործընթացների հիմնական նպատակը այս նյութերի հնարավորինս արագ կայունացումն է, օրինակ՝ չորացնելով տարբեր սոսինձներ՝ դրանք կպչելու համար: Հետո իրերը չեն ընկնի հետագա օգտագործման ժամանակ։ Այս տեսակի գործընթացն ըստ էության տաքացնում կամ սառեցնում է նյութը՝ որոշակի արդյունքի հասնելու համար, որը կոչվում է ջերմային մշակման գործընթաց վաֆլի արտադրության մեջ, և հիմնական բառը 'կայուն' է:
