Compositio Sapphiri est Aluminium Oxide (Al 2O 3), eiusque structura crystallina est structuram cancelli hexahedralis. C-planum usitatis sapphiri substratum est. Ob amplam penetrationem opticam cohortis, lucem bonam habet transmissionem e prope ultraviolo ad medium infrascriptum, sic late in componentibus opticis, machinis infrarubeis adhibitis, altam intensionem materiae laser lens et materiae larvatum.
Nunc, qualitas ultra-altae claritatis albae et caeruleae LED dependet a qualitate materiali GaN, et qualitas GaN propinqua est cum superficiei processus qualitatem sapphiri subiectam adhibitam.
Nuper, mercatus a sapphiro 2-unc, crystallo uno, ad 4-inch, 6-inch, 8-inch, movit. Celeri progressionis ductus mercatus incrementum sapphiri crystallorum magnae magnitudinis, altitudinis qualitas et stabilis effectus requirit, quae altiora requisita ad incrementum sapphiri technologiae proponit. Sed in processu sapphiri unius cristalli incrementi, saepe sunt quidam defectus qui significanter effectus sapphiri afficiunt, ut rimas crystalli, luxationes, immunditias et color centra, bullae aeris, etc.
Infra duplicem speciem sapphiri crystallini defectus intendunt.
In incremento processus, generatio varias passiones intra crystallum faciet contentionem. Cum maior contentio quam limites ipsius crystalli elastici, crystallum resiliet. Accentus in cristallo maxime comprehendit haec tria genera:
(1) Scelerisque vis: Scelerisque vis est quaedam vis interna causatur ex inaequale calefactione crystalli et caliditatis differentiae, inde inconstanter expansio seu contractio deformatio crystalli, et mutua cohibitio inter varias partes crystalli. Quamdiu est clivus temperatus intra crystallum, scelerisque lacus erit.
(2) Accentus chemica: ex inaequali distributione variarum partium in crystallo causata.
(3) Mechanica vis: causatur ex mechanica vibratione per crystallum incrementum.
In incremento sapphiri unius crystalli, accentus scelerisque est potissima forma omnium lacus. Praecipuae rationes nimiae scelerisque accentus in crystallo sequentes aspectus includunt:
a. Incrementum nimis velox est.
b. Temperatus campus est irrationabilis et temperatus gradiens nimis magnus est.
c. Rate refrigeratio nimis velox est.
d. Crystal propensio.
e. Crystal magnitudine.
levis accentus
medium accentus
Luxatio est cancelli defectus cum peculiari structura. Ipsum crystallum actioni ambitus externi seu variae internae cristalizationis subjicitur, et dispositio particularum intra crystallum deformata est, nec amplius in optimum cancellos ordinatur, inde in defectu lineari in crystallo qui vocatur luxatio.
Causae luxationis in crystallis sapphiris praecipue includuntur tres sequentes rationes;
a. Dislocationes primariae: Si dislocationes sunt in semine crystalli selecto, in novas crystallos per augmentum extendi possunt. Luxationes in semine crystalli includunt dislocationes in semine crystalli inhaerentes, luxationes ex nimia vis in processu generatae, et luxationes scelerisque in seminis concussione generantur.
b. Luxationes generantur in cristallo augmento. Fontes eius praecipui sunt:
(1) Axialis et radialis temperatura graduum crystalli prope interfaciem accentus scelerisque generant, quorum utrumque valorem criticum excedunt.
(2) Mutationes in cancellis constantes ex segregatione componentium causantur: ob immunditiam atomorum in liquefactione praesentiae, crystalla solidificationis processus successive solidificabuntur, inde in differentiis compositionis et dislocationis formationis possibiles.
(3) Defectus defectus (vacantiae et interstitiales) causant intentionem localem accentus.
(4.) Influentia vibrationis mechanicae facit crystallum deflectendi seu flectendi, et differentia Phase inter cristallum vicinas truncos, inde luxationes efformans.
Accentus concentratio prona est in vicinia interfaces ut gemini et grani fines intra crystallum et prope parvarum rimarum. Si vis lapsus accentus excedit, cum crystallus in hac provincia labitur, dislocationes in hac provincia occurrent.
