Sa semiconductor packaging, ang microscopic na kontaminasyon sa mga lead frame ay lumilikha ng matitinding hamon sa pagmamanupaktura. Madalas kang nahaharap sa mga kritikal na depekto tulad ng pagkabigo ng wire bond, die attach voiding, at mold compound delamination. Ang mga nakatagong depekto na ito ay nakompromiso ang panghuling pagiging maaasahan ng device at lubhang nagpapalaki ng mga scrap rate sa production floor. Upang malutas ang malaganap na isyu na ito, ang mga inhinyero ay naglalagay ng isang vacuum plasma cleaner kaagad bago ang die attach at mga wire bonding na hakbang. Binabago ng espesyal na kagamitang ito ang ibabaw ng substrate sa kemikal at pisikal na antas sa antas ng molekular.
Ito ay epektibong nag-aalis ng mga hindi nakikitang nalalabi at pinapagana ang mga ibabaw ng metal para sa pinakamainam na pagdirikit. Sa artikulong ito, talagang sinusuri namin kung paano gumagana ang mga vacuum system na ito sa ilalim ng mga kondisyon ng produksyon. I-explore din namin ang mga realidad ng integration at binabalangkas ang pangunahing pamantayan sa pagpili para sa pagpoproseso ng lead frame. Matututuhan mo ang mahahalagang mekanikal na pagkakaiba sa pagitan ng vacuum at atmospheric system. Gagabayan ka rin namin sa pagpili ng mga tamang proseso ng gas upang ganap na tumugma sa iyong mga partikular na kinakailangan sa metalurhiko.
Ang mga vacuum plasma cleaner ay gumaganap ng tatlong kritikal na function: micro-cleaning organic residues, pagbabawas ng metal oxides, at pagtaas ng surface energy (wettability).
Hindi tulad ng mga atmospheric system, ang vacuum plasma ay pumapasok sa masalimuot na 3D geometries at nakasalansan ang mga magazine sa isotropic na paraan nang hindi nagdudulot ng thermal damage.
Dapat suriin ng mga mamimili ang disenyo ng silid, dalas ng RF generator, at mga kakayahan sa awtomatikong paghawak upang tumugma sa kanilang partikular na throughput at mga kinakailangan sa ani.
Ang Total Cost of Ownership (TCO) ay lubos na naiimpluwensyahan ng pagpapanatili ng vacuum pump, mga limitasyon sa oras ng pag-ikot, at partikular na pagkonsumo ng gas sa proseso.
Ang mga proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor ay hindi maiiwasang mag-iwan ng iba't ibang microscopic residues. Hindi mo makikita ang mga bakas na kontaminant na ito sa ilalim ng normal na inspeksyon. Gayunpaman, malubhang nakakagambala sila sa mga kasunod na proseso ng pagbubuklod at encapsulation. Ang isang vacuum plasma cleaner ay tumutugon sa mga kumplikadong isyu sa pagdirikit sa pamamagitan ng tatlong pangunahing mekanismo.
Ang pagpoproseso ng upstream na wafer at pagpapa-dicing ay nag-iiwan ng mga hindi gustong organic na materyales na nakakalat sa mga lead frame. Madalas kang makatagpo ng matigas ang ulo na mga contaminant na nakabatay sa carbon at bakas ang mga residue ng photoresist. Higit pa rito, ang mga outgassed epoxies mula sa mga naunang yugto ng paggamot ay madalas na bumabalik sa substrate. Ang tradisyunal na basang kemikal na paglilinis ay nagpupumilit na ganap na alisin ang mga manipis na pelikulang ito. Matagumpay na naalis ng kemikal na de-scumming sa isang vacuum chamber ang mga matigas na organikong pelikulang ito. Ang mga highly reactive na gas radical ay nagbubuklod sa mga carbon atom na nakapatong sa lead frame. Ang tuluy-tuloy na reaksyong kemikal na ito ay lumilikha ng mga pabagu-bago ng produkto tulad ng carbon dioxide at singaw ng tubig. Ang pinagsamang vacuum pump pagkatapos ay patuloy na nauubos ang mga hindi nakakapinsalang gas na ito sa labas ng silid. Ang tumpak na pagkuha ng kemikal na ito ay nag-iiwan sa iyo ng isang napakalinis na baseng materyal na handa para sa pagbubuklod.
Ang mga metal ay natural na nag-oxidize kapag nakalantad sa ambient factory air sa paglipas ng panahon. Ang mga tansong lead frame ay partikular na madaling maapektuhan ng mabilis at hindi makontrol na oksihenasyon. Ang natural na nagaganap na layer ng oxide ay kumikilos bilang isang matibay na electrical insulator. Aktibo nitong pinipigilan ang maaasahang intermetallic bonding sa panahon ng mga sensitibong wire attach phase. Ang mga pisikal at kemikal na proseso ng plasma ay epektibong nag-aalis ng problemang mga layer ng oksihenasyon na ito. Matagumpay nilang inilantad ang dalisay, hindi nakompromisong metal sa ilalim ng oksihenasyon. Ang nakalantad na purong metal na ito ay talagang kritikal para sa pagtatatag ng malakas, mataas na conductive wire bond. Kung hindi inaalis ang mga siksik na oxide na ito, nanganganib ka sa pangmatagalang pagkabigo ng device at malubhang pagkasira ng performance sa field.
Ang mga lead frame ay kadalasang nagtataglay ng napakababang enerhiya sa ibabaw sa simula. Pinipigilan ng mababang enerhiya sa ibabaw na ito ang mga likidong pandikit na kumalat nang pantay-pantay sa ibabaw. Kailangan mo ng mga die-attach na epoxies at encapsulation molding compound upang pantay-pantay na dumaloy nang hindi nakakabit ng mga bula ng hangin. Ang pag-activate sa ibabaw ay malulutas ang problema sa daloy na ito sa pamamagitan ng kapansin-pansing pagtaas ng enerhiya sa ibabaw ng substrate. Ang aktibong plasma ay nagpapakilala ng mga polar functional na grupo sa tuktok na layer ng ibabaw ng metal. Binabago ng kemikal na pagbabagong ito ang materyal mula sa isang hydrophobic na estado na tumataboy sa likido patungo sa isang estadong hydrophilic na sumisipsip ng likido. Tinitiyak ng pinahusay na pagkabasa-basa ang pare-parehong daloy ng pandikit at solidong pagkakadikit sa buong lead frame. Direkta nitong pinipigilan ang sakuna na delamination ng package sa panahon ng paggamit ng field at thermal cycling.
Ang mga inhinyero ay madalas na nagdedebate sa pagitan ng vacuum at atmospheric na mga teknolohiya ng plasma kapag nagse-set up ng isang linya. Naghahain ang bawat teknolohiya ng mga natatanging pangangailangan sa pagmamanupaktura at umaangkop sa iba't ibang mga layout ng produksyon. Gayunpaman, kadalasang pinapaboran ng mga application ng packaging ang mga vacuum system para sa ilang overriding na teknikal na dahilan.
Pinoproseso ng mga vacuum system ang buong lead frame nang pantay mula sa bawat posibleng anggulo. Ang low-pressure na kapaligiran ay nagpapahintulot sa aktibong plasma gas na lumawak nang isotropikal sa lahat ng direksyon. Madali itong tumagos nang malalim sa kapansin-pansing mahigpit na pagpapahintulot ng mga batch-loaded na magazine. Makakakuha ka ng lubos na pare-parehong paglilinis sa bawat mikroskopiko na ibabaw ng bawat indibidwal na bahagi. Ang mga sistema ng atmospera ay gumagana nang medyo naiiba sa pagsasanay. Ang mga ito ay mahigpit na line-of-sight device na nag-i-spray ng plasma pababa. Nililinis lamang nila ang mga ibabaw na nakaposisyon nang direkta sa ilalim ng aktibong plasma nozzle. Hindi nila mabisang linisin ang mga kumplikadong 3D geometries, mga undercut, o mga magazine na makapal ang laman.
Ang mga ultra-manipis na lead frame ay lubhang madaling kapitan sa biglaang thermal warpage. Ang mataas na na-localize na temperatura ay nagdudulot ng matinding stress at pisikal na nakakasira sa metal framework. Ang isang vacuum plasma cleaner ay gumagana sa makabuluhang mas mababang pangkalahatang temperatura. Ang kakaibang low-pressure na kapaligiran ay lumilikha ng isang matatag na estado ng malamig na plasma. Ang estado na ito ay nagpapagaan sa panganib ng biglaang pagkasira ng init sa manipis na mga substrate. Ang mga sistema ng atmospera ay madalas na bumubuo ng malaking lokal na init sa panahon ng operasyon. Nangangailangan sila ng maingat na regulasyon ng bilis ng conveyor at mahigpit na mga kontrol sa distansya upang maiwasan ang pag-warping ng mga maselang substrate.
Nag-aalok ang mga vacuum chamber ng ganap na katumpakan tungkol sa kontrol sa kapaligiran. Maaari mong tiyak na paghaluin ang mga espesyal na gas na iniayon sa eksaktong mga kinakailangan sa metalurhiko. Kasama sa mga tipikal na espesyal na mixture ang iba't ibang ratio ng Argon, Oxygen, at Hydrogen. Maaari mong ayusin ang mga ratio ng gas na ito nang maayos upang balansehin ang pisikal na pambobomba at paglilinis ng kemikal. Ang mga sistema ng atmospera ay lubhang kulang sa tumpak na kontrol sa kapaligiran. Pangunahing umaasa sila sa karaniwang naka-compress na hangin o mga purong inert na gas tulad ng Nitrogen. Hindi nila ligtas na mahawakan ang mga reaktibong mixture na naglalaman ng Hydrogen dahil sa matinding panganib ng pagsabog sa mga open air environment.
Paghahambing ng Plasma Technologies
Tampok |
Vacuum na Plasma |
Plasma sa Atmospera |
|---|---|---|
Pagpasok |
Isotropic (Buong 3D na Saklaw) |
Line-of-sight (2D Surface Lang) |
Thermal Impact |
Mababa (Malamig na Plasma) |
Katamtaman hanggang Mataas |
Flexibility ng Gas |
Mataas (Argon, Oxygen, Hydrogen) |
Mababa (Compressed Air, Nitrogen) |
Batch Processing |
Mahusay para sa mga siksik na magazine |
Mahina (Pinakamahusay para sa mga single inline na unit) |
Dapat mong suriin ang iyong mga partikular na pangangailangan sa linya ng produksyon bago bumili. Pumili ng mga vacuum system para sa high-density, batch-level na pagkakapareho kung saan ang katumpakan ang pinakamahalaga. Mahusay sila kapag gumagawa ka ng mga sensitibong materyales at napakakumplikadong geometries. Sa kabaligtaran, pumili ng mga atmospheric system para sa high-speed, inline na pagproseso. Pinakamahusay na gumagana ang mga ito para sa flat, structurally simpleng geometries na mabilis na gumagalaw sa isang tuluy-tuloy na conveyor belt.
Ang pagpili ng gas ay lubos na nakakaimpluwensya sa iyong pangkalahatang proseso at pagiging maaasahan. Ang iba't ibang mga gas ay nag-trigger ng ganap na magkakaibang kemikal at pisikal na mga reaksyon sa loob ng silid. Dapat mong maingat na itugma ang napiling recipe ng gas sa iyong partikular na materyal ng lead frame.
Ang Argon ay isang mabigat, ganap na marangal na gas. Nililinis nito ang mga substrate ng eksklusibo sa pamamagitan ng pisikal na ablation, na kilala rin sa industriya bilang sputtering. Ang high-frequency na RF field ay mabilis na nagpapabilis ng mabibigat na Argon ions patungo sa grounded substrate. Tinatamaan nila ang kontaminadong ibabaw na nagdadala ng napakalawak na kinetic energy. Ang marahas na pisikal na epekto na ito ay literal na nagtatanggal ng mga solidong kontaminant mula sa metal framework. Ang Argon ay nananatiling ganap na hindi gumagalaw sa buong proseso. Hindi ito chemically react o aksidenteng na-oxidize ang metal. Ito ay mahigpit na pinakamahusay para sa pag-alis ng mabigat, matigas ang ulo na kontaminasyon sa pamamagitan ng malupit na kinetic na epekto.
Ang oxygen ay lumilikha ng isang napaka-reaktibong kemikal na kapaligiran ng plasma. Napakahusay nito sa prosesong kilala bilang chemical ashing. Ang mga free Oxygen radical ay agresibong umaatake at sinisira ang mga kumplikadong organikong residue. Mahusay nilang ginagawang mga solidong contaminant na nakabatay sa carbon ang mga madaling maubos na estado ng singaw. Gayunpaman, ang paggamit ng purong oxygen ay nagdudulot ng malaking panganib para sa ilang partikular na sensitibong metal. Maaari itong mabilis at malalim na mag-oxidize ng tanso o pilak na mga lead frame. Dapat mong gamitin ito nang lubos na maingat sa mga partikular na materyales na ito upang maiwasang masira ang kanilang solderability.
Ang pagbuo ng gas ay isang structurally safe, non-explosive mixture ng Argon at Hydrogen. Gumaganap ito ng mahalagang pagbabawas ng kemikal sa mga ibabaw ng metal na na-oxidized. Ang partikular na halo na ito ay ang hindi mapag-aalinlanganang pamantayan ng industriya para sa paggamot sa mga hubad na tansong lead frame. Ang mga hydrogen radical ay aktibong nag-alis ng mga molekula ng oxygen mula sa mga metal oxide sa ibabaw. Sila ay mahiwagang i-convert ang resistive copper oxide pabalik sa dalisay, conductive na tanso. Nakamit nila ang kahanga-hangang gawa na ito nang hindi nag-iiwan ng anumang mga bagong organikong nalalabi. Ang idinagdag na Argon ay tumutulong na patatagin ang pangkalahatang henerasyon ng plasma at nagbibigay ng banayad, komplementaryong pisikal na paglilinis.
Ang mga modernong sistema ng packaging ay bihirang umasa sa isang solong, nakahiwalay na uri ng gas. Gumagamit ang mga advanced na inhinyero ng mga tiered, multi-step na recipe para mapakinabangan ang ani at kahusayan. Ang isang napaka-karaniwang diskarte ay nagsasangkot ng pagpapatakbo ng isang maikli, paunang hakbang sa Oxygen. Mabilis nitong inaalis ang makapal na organikong residue mula sa dicing tape. Ang kasunod na hakbang ng Argon/Hydrogen ay agad na sumusunod sa Oxygen phase. Ang pangalawang hakbang na ito ay mabilis na nag-aalis ng anumang mga sariwang oxide na nabuo sa panahon ng malupit na bahagi ng Oxygen. Ang matalinong dalawang-hakbang na prosesong ito ay perpektong binabalanse ang agresibong bilis ng organic na paglilinis kasama ng vital oxide prevention.
Ang pagpili ng tamang kagamitan sa vacuum ay nangangailangan ng lubos na maingat na teknikal na pagsusuri. Hindi ka maaaring bumili ng mga off-the-shelf na unit nang hindi tinatasa ang iyong mga parameter. Dapat mong ganap na ihanay ang mga detalye ng makina nang direkta sa iyong mga kinakailangan sa produkto. Isaalang-alang ang sumusunod na mahahalagang pamantayan kapag sinusuri ang mga panukala ng vendor.
Configuration ng Electrode (Direct vs. Downstream): Ang paglalagay ng electrode ay pangunahing nagdidikta sa kabuuang antas ng pagsalakay ng plasma. Ang mga direktang sistema ng plasma ay naglalagay ng lead frame sa pagitan mismo ng dalawang aktibong electrodes. Ang pagsasaayos na ito ay nagbibigay-daan sa lubos na agresibong pisikal na paglilinis sa pamamagitan ng direktang pagbomba ng ion. Gumagana ito nang husto para sa mga matatag na substrate na kulang sa mga maselang bahagi. Sa ibaba ng agos, o malayo, ganap na ibinubukod ng plasma ang pangunahing generation zone. Ito ay dumadaloy lamang sa mga reaktibong radikal sa isang ganap na hiwalay na silid sa pagproseso. Ang pagsasaayos na ito ay lubos na nagpoprotekta sa mga sensitibong aktibong IC mula sa direktang pambobomba ng ion. Halos inaalis din nito ang anumang mga panganib sa pinsala ng sakuna na electrostatic discharge (ESD).
RF Generator Frequency: Ang dalas ng generator ay labis na nagdidikta sa pisikal na pag-uugali ng mga excited na ion. Ang 13.56 MHz frequency ay lumilikha ng siksik, mataas na reaktibo, at pare-parehong plasma. Perpektong binabalanse nito ang mga rate ng reaksyon ng kemikal at lakas ng pisikal na paglilinis, na kumikilos bilang ganap na standard na pagpipilian para sa karamihan ng mga modernong aplikasyon ng semiconductor. Bilang kahalili, ang 40 kHz frequency ay nagbibigay-daan sa mga indibidwal na ion na makakuha ng mas mataas na kinetic energy. Naghahatid ito ng mas mabigat, agresibong pambobomba ng ion sa ibabaw. Ito ay partikular na kapaki-pakinabang para sa mga agresibong pisikal na aplikasyon ng pag-ukit. Gayunpaman, nagpapakita ito ng mas mataas na panganib ng pinsala para sa mga maselang istruktura sa ibabaw.
Automation at Footprint: Dapat mong kritikal na suriin kung paano umaangkop ang kagamitan sa iyong pangkalahatang daloy ng pabrika. Ang mga standalone na batch system ay maaaring magproseso ng maramihang na-load na magazine nang sabay-sabay. Gayunpaman, nangangailangan sila ng mga dedikadong operator para sa manu-manong paglo-load at pag-alis ng mga operasyon. Ang mga inline na automated handling system, na kilala bilang mga strip handler, ay nag-aalok ng totoong magazine-to-magazine automation. Awtomatikong pinapakain nila ang mga indibidwal na piraso sa pamamagitan ng silid sa pamamagitan ng robotic indexing. Dapat mong masusing pag-aralan ang iyong mga layunin sa pang-araw-araw na throughput upang maiwasan ang magastos na mga bottleneck sa cycle-time.
Materyal at Disenyo ng Chamber: Ang mga tagagawa ay karaniwang gumagawa ng mga vacuum chamber na gumagamit ng alinman sa aluminyo o hindi kinakalawang na asero. Ang aluminyo ay nag-aalok ng mahusay na pagkakapareho ng thermal at natural na lumalaban sa ilang mga kinakaing unti-unti na halogen gas. Ang stainless steel ay nagbibigay ng walang kaparis na pangmatagalang tibay at napakataas na kalinisan ng particulate. Dapat mo ring suriing mabuti ang mga panloob na pagsasaayos ng istante. Ang mga mahusay na disenyo ng istante ay nagpapalaki sa kapasidad ng magazine nang hindi sinasakripisyo ang kritikal na pagkakapareho ng plasma.
Ang pagsasama ng teknolohiya ng plasma ay hindi maiiwasang nagpapakilala ng mga partikular na hamon sa pagmamanupaktura at pagpapatakbo. Hindi mo maaaring i-install lamang ang makina at huwag pansinin ang proseso ng pisika. Dapat mong proactive na pamahalaan ang mga teknikal na panganib na ito upang mapanatili ang patuloy na mataas na ani.
Ang mga vacuum system ay likas na tumatagal ng malaking oras upang makumpleto ang isang buong ikot. Dapat mong maingat na i-factor ang mekanikal na vacuum pump-down na oras. Kailangan mo ring lubos na isaalang-alang ang mabagal na pagkakasunud-sunod ng paglabas ng hangin pagkatapos ng pagtatapos ng pagproseso. Ang mga kinakailangang mekanikal na hakbang na ito ay makabuluhang nagpapalawak ng kabuuang oras ng pag-ikot kumpara sa mga pamamaraan sa atmospera. Dapat mong kalkulahin ang mga oras na ito nang tumpak at gayahin ang mga ito. Ang pagkabigong gawin ito ay lubos na magpapagutom sa iyong downstream bonding equipment.
Ang panlabas na vacuum pump ay gumaganap bilang ang tibok ng puso ng buong sistema. Ito ay nahaharap sa pare-pareho, araw-araw na pagkakalantad sa mataas na reaktibo na proseso ng mga gas. Regular din itong nakakain ng mga particulate byproduct na pisikal na inalis mula sa mga lead frame. Dapat kang mag-iskedyul at magsagawa ng regular na pagpapanatili upang maiwasan ang mga sakuna na mekanikal na pagkabigo. Kasama sa mahigpit na gawaing ito ang madalas na pagpapalit ng pump oil o pagseserbisyo sa mga dry pump seal. Ang pagpapabaya sa pagpapanatili ng bomba ay direktang humahantong sa hindi pantay na mga antas ng presyon ng silid at sa huli ay hindi magandang resulta ng paglilinis.
Ang mas maraming pagkakalantad sa plasma ay tiyak na hindi palaging mas mahusay para sa iyong produkto. Ang sobrang tagal ng pagproseso ay maaaring makapinsala sa iyong sensitibong produkto. Ang mataas na antas ng kapangyarihan ay nagdudulot ng matinding pag-rough ng ibabaw sa metal framework. Ang microscopic roughening na ito ay maaaring direktang makagambala sa precision wire bonding capillaries. Ipagsapalaran mo rin ang mapanganib na muling pagdeposito ng mga sputtered na materyales pabalik sa nilinis na substrate. Bukod pa rito, ang sobrang pagproseso ay maaaring magdulot ng thermal degradation sa anumang umiiral na die-attach epoxies. Dapat mong itatag at i-lock ang mahigpit, na-validate na mga window ng proseso.
Hindi ka maaaring basta-basta magsaksak ng isang generic na makina at magsimulang gumawa ng mga maaasahang bahagi. Dapat kang pormal na humiling ng Proof of Concept (PoC) mula sa mga potensyal na vendor. Direktang ibigay sa kanila ang iyong eksaktong lead frame strip para sa makatotohanang pagsubok. Dapat mong maingat na i-verify ang mga resulta ng paglilinis gamit ang mga sukatan ng dami. Lubos na umasa sa pagsubok sa anggulo ng contact para tiyak na mapatunayan ang pinahusay na pagkabasa. Magsagawa ng mahigpit na wire bond shear test upang ganap na magarantiya ang pinabuting mekanikal na pagdirikit. Tinitiyak ng mahigpit na pagpapatunay na ang napiling kagamitan ay aktwal na nakakatugon sa iyong mga partikular na pangangailangan sa produksyon.
Ang mga sistema ng vacuum plasma ay nagsisilbing isang kritikal na pamumuhunan sa yield-protection para sa mga modernong operasyon ng semiconductor. Ang mga ito ay higit pa sa isang basic, opsyonal na hakbang sa paglilinis. Aktibong inhinyero nila ang ibabaw ng substrate sa antas ng atom upang magarantiya ang maaasahang pagbubuklod. Sa pamamagitan ng paggamit ng mga sistemang ito, inaalis mo ang mga hindi nakikitang mga organikong kontaminant at binabawasan ang mga problemang metal oxide. Kapansin-pansing pinapataas mo rin ang pagkabasa ng ibabaw, na mahalaga para sa daloy ng encapsulation sa ibaba ng agos.
Bago simulan ang anumang pormal na pagsusuri ng vendor, dapat kang magtatag ng baseline ng iyong kasalukuyang mga rate ng depekto. Maingat na sukatin ang iyong kasalukuyang mga isyu sa delamination at subaybayan ang iyong pang-araw-araw na wire bond lift. Ang makasaysayang data na ito ay nagbibigay sa iyo ng malinaw, hindi maikakaila na benchmark para sa pagsubaybay sa mga pagpapabuti sa hinaharap.
Susunod, mag-compile ng isang komprehensibong matrix ng iyong mga partikular na kinakailangan sa produksyon. Idokumento ang iyong kasalukuyang mga lead frame na materyales, mga partikular na paghihigpit sa gas, at i-target ang mga pang-araw-araw na throughput. Malinaw na tandaan ang iyong mga hadlang sa factory footprint upang maiwasan ang pagbili ng malalaking kagamitan. Gamitin ang tumpak at detalyadong data na ito upang humiling ng naka-target na sample na pagsubok mula sa mga kagalang-galang na tagagawa ng kagamitan. Ang pagsasagawa ng mga sadyang hakbang na ito ay nagsisiguro ng isang maayos, lubos na matagumpay na pagsasama ng kagamitan.
A: Ang karaniwang cycle ay karaniwang tumatagal ng 5 hanggang 15 minuto. Ang tagal na ito ay nagiging sanhi ng paunang pump-down na oras, ang aktibong bahagi ng plasma, at ang huling pagkakasunud-sunod ng pag-vent. Ang eksaktong oras ay nakasalalay nang husto sa iyong kinakailangang pagganap ng paggamot.
A: Oo, pwede. Ang paggamit ng mga maling proseso ng gas, tulad ng purong oxygen, ay mabilis na mag-oxidize ng silver plating. Bukod pa rito, ang sobrang RF power ay nagdudulot ng matinding pisikal na sputtering na pumipinsala sa maselang ibabaw. Ang mahigpit na pag-optimize ng recipe at tamang pagpili ng gas ay sapilitan upang protektahan ang mga sensitibong materyales na ito.
A: Maaari kang gumamit ng ilang karaniwang pamamaraan ng dami. Direktang sinusukat ng goniometry ng water contact angle ang enerhiya sa ibabaw. Ang mga dyne test fluid ay nagbibigay ng mabilis na visual na pagtatasa ng pagkabasa. Panghuli, ang post-process wire pull at shear strength testing ay nagpapatunay sa aktwal na mekanikal na integridad ng mga resultang bond.
