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Equipamento de limpeza por plasma de radiofrequência a vácuo

O equipamento de limpeza a plasma prepara as superfícies dos produtos por meio de ativação, limpeza, ataque químico e remoção de fotorresiste. Este processo aumenta a molhabilidade da superfície, melhora a adesão para operações de revestimento, galvanização e colagem e remove eficazmente contaminantes como óleos e resíduos orgânicos.
 
 
Disponibilidade:
Quantidade:
  • PTC-CCP110

  • PTC



◇◇ Visão geral  ◇◇


 Ele fornece pré-tratamento de superfície confiável para processos críticos, incluindo impressão, revestimento, laminação e encapsulamento, ao mesmo tempo em que aborda problemas comuns como má adesão, revestimento irregular e ligação fraca. Além disso, a limpeza a plasma oferece uma alternativa a seco ecológica, eficiente e controlável aos métodos tradicionais de limpeza à base de solvente.


  ◇◇  Composição  ◇◇


Composto principalmente por câmara de vácuo, placas de eletrodo, fonte de alimentação de radiofrequência (RF), matcher e bomba de vácuo.



◇◇  Recursos  ◇◇


  • Processamento rápido e em baixa temperatura: Opera próximo à temperatura ambiente (<50°C) com tempos de ciclo curtos, evitando danos a materiais sensíveis ao calor.

  • Limpeza superior: Remove contaminantes em nível≤0,1nm, ultrapassando os limites dos métodos tradicionais de limpeza úmida.

  • Processo ecológico e seco: Elimina solventes químicos e águas residuais; utiliza gases inertes/reativos sem gerar subprodutos tóxicos.

  • Inteligente e rastreável: Possui controle de processo inteligente com rastreabilidade total dos dados de produção.


           ◇◇ Desempenho do processo  ◇◇


                             001002



                                     antes do tratamento, ângulo de contato = 85,6° após o tratamento, ângulo de contato = 14,3°




◇◇  Técnicas Especificações  ◇◇


Capacidade da câmara

110L

Tamanho da câmara  525(L)×445(P)×495(A)mm
Faixa de potência Ajustável continuamente de 0 a 600 W, precisão ±1%
Radiofrequência 13,56 MHz ± 0,05%
Velocidade de processamento 3~10 minutos (sujeito ao desempenho do processamento)
Desempenho pós-processamento Ângulo de contato com água< 15°
Método de correspondência Rede de correspondência automática de impedância
Tipo de eletrodo Acoplamento capacitivo de placa paralela
Material do eletrodo Alumínio anodizado

Configuração da placa de eletrodo

Horizontal, 4 eletrodos (o número de camadas de eletrodos horizontais ou a altura podem ser ajustados)

O carregamento de cassete está disponível

Método de fixação de eletrodo

Plug-in destacável

Bomba de vácuo

Bomba mecânica de palhetas rotativas

Velocidade de bombeamento

60m³/h

Grau de vácuo final

≤5Pa

Faixa de vácuo operacional

10-100 Pa

Número do canal do gás de processo

Padrão 2 canais. Vários canais são opcionais

Tipos de gás Ar, O₂, N₂, H₂. O gás corrosivo CF₄ é opcional
Método de controle de gás Controlador de fluxo de massa (MFC)
Faixa de medição e precisão do MFC 0-300 sccm, precisão ±2% FS
Tamanho da bandeja de carregamento 400 mm (C) * 473 mm (L)
Tamanho do equipamento 900(L)×1100(D)×1750 (A)mm (excluindo a altura da luz tricolor)
Peso do equipamento Cerca de 450kg



◇◇  Uma área de aplicação  ◇◇

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Embalagem de semicondutores (descolagem, ativação de superfície), fabricação de chips LED, eletrônica 3C, placa de circuito, biomedicina, nova energia, aviação militar.



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Telefone: +86-512-5792-5888
 E-mail: sales@ptcstress.com
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